Conte aos seus amigos sobre este item:
Napromieniowanie elektronami MeV heterostruktur Si Sonia Kaschieva
Napromieniowanie elektronami MeV heterostruktur Si
Sonia Kaschieva
Badano generowanie defektu radiacyjnego przez napromieniowanie elektronami MeV o wysokiej energii struktury n- i p- typu Si-SiO2 ró?nymi rodzajami tlenków. Zmiany morfologiczne tlenku Si-SiO2 podczas napromieniania elektronami MeV obserwowano za pomoc? AFM. Przedstawiono zaimplantowane struktury Si-SiO2 z jonu Si+ przed i po na?wietlaniu elektronami MeV. Redystrybucj? atomów tlenu i krzemu oraz generacj? nanokrysztalów Si podczas napromieniania elektronów MeV obserwowano odpowiednio za pomoc? technik RBS/C i AFM. Przeprowadzono równie? badania wla?ciwo?ci optycznych, fotoluminescencji i spektroskopowe na?wietlanych elektronami MeV folii SiOx.
| Mídia | Livros Paperback Book (Livro de capa flexível e brochura) |
| Lançado | 21 de maio de 2020 |
| ISBN13 | 9786200995773 |
| Editoras | Wydawnictwo Nasza Wiedza |
| Páginas | 172 |
| Dimensões | 152 × 229 × 10 mm · 274 g |
| Idioma | Polish |