High Power Insulated-gate Bipolar Transistor (IGBT) Drivers: Design and Applications - Zhiyuan, He, PhD (China Electric Power Research Institute Co., Ltd, China) - Livros - Elsevier - Health Sciences Division - 9780443526558 - 1 de novembro de 2026
Caso a capa e o título não sejam correspondentes, considere o título como correto

Zhiyuan, He, PhD (China Electric Power Research Institute Co., Ltd, China)
High Power Insulated-gate Bipolar Transistor (IGBT) Drivers: Design and Applications

Preço
R$ 1.097,90
excluindo impostos
Data prevista de entrega 9 - 12 de nov
Receba avisos sobre novos lançamentos de Zhiyuan, He, PhD (China Electric Power Research Institute Co., Ltd, China)

O que dizem nossos clientes:

Política de devolução de 14 dias, em conformidade com a lei europeia de proteção do consumidor
Melhor classificação na Trustpilot
Adicione à sua lista de desejos do iMusic
Mídia Livros     Paperback Book   (Livro de capa flexível e brochura)
A ser lançado 1 de novembro de 2026
ISBN13 9780443526558
Editoras Elsevier - Health Sciences Division
Páginas 500
Dimensões 150 × 220 × 10 mm   ·   450 g

Mais da mesma editora

Ver tudo de Zhiyuan, He, PhD (China Electric Power Research Institute Co., Ltd, China)